时间：2008年12月24日 星期三 下午3:00
地点：33678新甫京国际品牌力学楼434会议室
报告一、电子陶瓷材料及元件应用研究进展
李龙土 教授（中国工程院院士）
清华大学 材料科学与工程系
新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
电子陶瓷主要包括介电、铁电、压电、半导、热电和铁磁等陶瓷材料。电子陶瓷
元器件在电子信息等近代高新技术领域获得日益广泛应用。微型化、多层片式化
和无源集成化是电子陶瓷元器件发展的主要趋势。采用两段式无压烧结技术制备
了高致密纳米晶铁电陶瓷，首次发现纳米钛酸钡（BT）陶瓷在晶粒尺寸小到8nm
时仍具有铁电性。随晶粒尺寸减小具有很高的K/d比，对于BT纳米陶瓷在新型微
小电子器件中的应用具有重要的理论和实际应用意义。制备了大容量超薄型贱金
属内电极多层陶瓷电容器。研发了一系列高性能低温烧结压电陶瓷材料，开展了
低温烧结压电陶瓷变压器及其应用研究。介绍多层压电陶瓷驱动器及超声马达，
微波介质陶瓷材料，低温共烧无源集成技术以及无铅压电陶瓷的研究进展。
报告二、自旋角动量转移矩效应
姜勇 教授（长江特聘教授）
北京科技大学 材料物理与化学系
1996年，Slonczewski 和 Berger 理论预测出，当自旋极化电流穿过一层纳米尺寸
(<100nm)的铁磁体薄膜或一个磁性纳米柱时，由于所产生的自旋角动量转移矩(简
称STT)，电流可以在铁磁膜中产生磁激发甚至引起铁磁膜磁化方向的翻转。为了
克服铁磁体中磁阻尼矩，外加电流所需要的临界电流密度一般都在107 A/cm2以
上。近年来，对这种电流诱导磁化翻转(简称CIMS)行为的研究引起人们广泛的关
注，因为CIMS技术在磁随机存储器中的使用不仅可以降低写电流能量损耗，从而
大幅度提高存储密度，而且还可以大大简化磁随机存储器的结构。自1998年以来，
人们已经先后在铁磁薄膜、自旋阀和铁磁性隧道结中观测到STT效应。CIMS所需
要的临界电流很高，很容易破坏磁性纳米结构，因此研究界一直也在致力于降低
CIMS临界电流方面。目前CIMS的临界电流密度已经被降低到106 A/cm2左右。这就
为STT效应在铁磁性隧道结中的应用提供了可能。STT效应还会产生持久磁进动现
象，伴随着自旋波的激发，铁磁体会释放出微波。这种STT诱导微波行为可能会带
来新型非机械型纳米微波器件。本报告主要综述近几年来国际上在STT研究方面的
重要结果。
