材料科学领域的国际权威杂志《Advanced Functional Materials》（Impact Factor:10.439）最近以内封面文章的形式在线刊发了33678新甫京国际品牌材料科学与工程系张艳锋">张艳锋特聘研究员课题组的研究论文“Monolayer MoS2 Growth on Au Foils and On-Site Domain Boundary Imaging”（DOI: 10.1002/adfm.201403659），报道了该课题组在单层二硫化钼的可控制备及其畴区边界识别所取得的最新研究成果。

过渡金属二硫族化合物是一种过渡金属（M）和硫族（X）元素以三明治结构（X-M-X）构筑的半导体材料。单原子层过渡金属二硫族化合物是一种直接带隙的半导体，在纳米电子、谷电子、光电子学和电催化析氢反应中具有非常广阔的应用前景。大批量可控地制备大畴区、高质量、单原子层的过渡金属二硫族化合物是实现其优异性能的前提。该课题组在低压化学气相沉积系统中，通过引入氢气作为载气，实现了MoS2的畴区尺寸从几微米到几十微米的调控，最大畴区尺寸可达80微米。课题组提出氢气在调控MoS2的生长过程中起到两个方面的作用：1）少量氢气的引入有助于MoS2生长前躯体的供给促进其畴区的长大；2）过量的引入氢气对MoS2的畴区具有刻蚀的作用。另外，该课题组首次利用低能电子衍射（LEEM/LEED）的手段对金箔上的MoS2晶格取向及MoS2的畴区边界进行了识别。这种原位和无损伤的识别手段对于研究MoS2的生长机制、拼接行为以及获得大畴区单晶MoS2提供了依据。

上述文章的第一作者为张艳锋">张艳锋特聘研究员的博士生史建平同学。合作者有化学与分子工程学院刘忠范院士课题组和中科院大连化学物理研究所包信和院士、傅强研究员课题组。

该工作得到了科技部“973”量子调控计划（2011CB921903,2012CB921404）和国家自然科学基金委重大项目、优秀青年基金和面上项目（51222201, 51290272, 21201012, 51121091, 51072004, 21222305）的资助。